fk02

CZ法によるサファイア単結晶作製

高周波加熱式・・・大口径化長尺化が簡便
サファイア(Al2O3)
融点:2040℃
LED用、電子デバイス用
c軸、a軸、R軸
fk03

CZ法によるフッ化物単結晶作製

抵抗加熱式・・・抵抗加熱式は高周波加熱式に比べ低温度勾配高品化に有利
螢石(CaF2)
融点:1402℃
リソグラフィー用レンズ

fk04

CZ法による圧電結晶LTGA作製

高周波加熱式
ランガサイト単結晶 LTGA (La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14)
融点:1475℃
圧電応用
c軸、a軸
fk05

μ-PD法によるファイバー結晶作製

μーPD法形状制御技術・・・
東北大学金属材料研究所(福田研究室)で開発された世界に誇れる独創的技術
          ー  MEXT先導的研究(2001~2003)

(株)福田結晶技術研究所で技術高度化、量産技術化
NEDO研究開発型ベンチャー技術開発助成事業(2005~2006)
「マイクロ引下げ法による高機能単結晶材料の量産技術開発」
fk06

水熱合成法(ハイドロサーマル法)によるZnO単結晶作製

fk07

安熱合成法(アモノサーマル法)によるGaN単結晶作製

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その他 当社設備を使って作製した結晶例

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